• 人工ピン導入により低温・高磁場中で高い臨界電流特性を実現

　　　　　磁場中臨界電流特性（人工ピンなし）　　　　　　　　　　　　磁場中臨界電流特性（人工ピンあり）
※測定データの一部には東北大学 金属材料研究所 強磁場超伝導材料研究センターで測定されたデータが含まれます。

• 独自の製造技術により実用レベルの長尺線材を実現

※全長通電測定は四端子法により、77K（液体窒素中）、自己磁場中、1μV/cm基準で測定を行っています。
※上記の測定データは一例であり、全ての線材性能を保証するものではありません。

• 独自の製造技術により長尺線材において優れた臨界電流均一性を実現

※全長磁化測定はTapestar^TMにより行っており、Tapestar^TMはTHEVA社の商標です。
※磁化測定（磁化法による臨界電流測定）では微弱な磁場の応答を測定プログラムが臨界電流に換算しており、実際の臨界電流を保証するものではありません。
※上記の測定データは一例であり、全ての線材性能を保証するものではありません。
※磁化測定は測定分解能が高いため、線材長に応じて測定プログラムが計算する所定区間の最大値を赤線、最小値を青線のグラフで表示しています。

IBAD法（Ion Beam Assisted Deposition）

• 中間層の製造技術
• フジクラ独自技術（1991年開発）
• 超電導特性を向上させるためには結晶方位を揃えることが重要になり、中間層の結晶方位を整列させる技術を確立することで、超電導層の結晶方位も揃えることを実現

PLD法（Pulsed Laser Deposition）

• 超電導層の製造方法
• ホットウォール型PLD法はフジクラ独自開発
• ホットウォールと呼ばれる高温の壁で成膜エリアを囲う方式を採用することで、温度の安定化に成功し、高品質な超電導層の形成が可能

お問い合わせは下記メールアドレスまで宜しくお願い致します。

E-mail : ask-sc@jp.fujikura.com